三星電子株式會社專利技術

三星電子株式會社共有42160項專利

  • 本公開涉及一種通信方法和系統,用于融合支持超第四代(4G)系統的更高的數據速率的第五代(5G)通信系統與物聯網(IoT)技術。本公開可應用于基于5G通信技術和IoT相關技術的智能服務,諸如智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽車、聯網汽車...
  • 本公開涉及一種用于將IoT技術與5G通信系統融合以支持比4G系統更高的數據傳輸速率的通信技術及其系統。基于5G通信技術和IoT相關技術,本公開可以應用于智能服務,例如智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽車或聯網汽車、醫療保健、數字教育、...
  • 本公開涉及用于將支持超出第四代(4G)系統的更高數據速率的第五代(5G)通信系統與物聯網(IoT)技術融合的通信方法和系統。本發明可以應用于基于5G通信技術和IoT相關技術的智能服務,諸如智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽車、聯網汽車...
  • 提供了一種處理設備。所述處理設備包括:存儲器,存儲視頻內容;以及處理器,用于將形成視頻內容的幀劃分為多個編碼單元,并通過針對多個編碼單元中的每個編碼單元執行編碼來生成編碼幀,并且處理器可以將包括運動矢量的信息添加到編碼幀,其中所述運動矢...
  • 本公開涉及用于融合IoT技術和支持超4G系統的更高數據傳輸速率的5G通信系統的通信方案以及用于該通信方案的系統。本公開可以基于5G通信技術和IoT相關技術應用于智能服務(例如,智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽車或聯網汽車、醫療保健、...
  • 在一個實施例中,一種體現軟件的計算機可讀的非暫時性存儲介質,所述軟件在被執行時可操作以用于實時地:捕獲用戶的多個圖像;識別與用戶的一個或多個淺表動脈相對應的一個或多個感興趣區域。所述識別是基于從所述多個圖像獲得的光電容積描記圖(PPG)...
  • 一種方法包括在與網絡的第一小區相關聯的第一eNodeB(eNB)處確定第一用戶設備(UE)要進行設備發現過程。所述方法還包括與第二eNB協調設備發現過程的參數。第二eNB與網絡的第二小區以及與第二UE相關聯。所述參數定義在設備發現過程期...
  • 提供用于編碼和解碼數據包的方法和設備。一種發送器將通過基于無線信道環境采用編碼方案進行編碼的數據包發送到接收器的方法,以及一種接收器檢測應用到編碼的數據包的編碼方案并且對數據包進行解碼的接收器的方法,其中,發送器將與編碼方案相應的擴頻因...
  • 提供了一種半導體器件。該半導體器件包括:第一鰭圖案和第二鰭圖案,通過第一隔離溝槽分離并在第一方向上延伸;第三鰭圖案,在與第一方向相交的第二方向上與第一鰭圖案間隔開并在第一方向上延伸;第四鰭圖案,通過第二隔離溝槽與第三鰭圖案分離;第一柵結...
  • 提供了一種單元架構。可以提供一種單元架構,其包括豎直場效應晶體管,豎直場效應晶體管具有:用作豎直溝道的至少兩個鰭;柵極,其包括圍繞第一鰭的第一柵極部分、圍繞第二鰭的第二柵極部分、以及提供其間的連接的第三柵極部分;以及頂部源極/漏極,其包...
  • 公開了半導體基板和包括該半導體基板的顯示面板。半導體基板包括:在基板上的彼此間隔開的至少一對第一電極;掩埋圖案,在第一電極之間并且圍繞每個第一電極的側表面;電介質圖案,在掩埋圖案與每個第一電極之間;和在基板上并且連接到相應的第一電極的多...
  • 提供了一種垂直存儲器裝置及其制造方法,所述垂直存儲器裝置包括:基底,具有溝槽結構;柵電極,位于基底上,柵電極在與基底的上表面基本垂直的第一方向上彼此分隔開;溝道,所述溝道包括豎直部分和水平部分,豎直部分沿第一方向延伸穿過柵電極,水平部分...
  • 提供了一種半導體器件、一種半導體封裝件和一種制造半導體器件的方法。所述半導體器件包括:第一結構,所述第一結構包括第一導電圖案,所述第一導電圖案在所述第一結構的上部被暴露;模制層,所述模制層覆蓋所述第一導電圖案;第二結構,所述第二結構位于...
  • 公開了一種半導體器件,所述半導體器件包括:導電圖案,所述導電圖案位于基板上;鈍化層,所述鈍化層位于所述基板上并包括部分地暴露所述導電圖案的開口;以及焊盤結構,所述焊盤結構設置在所述鈍化層上以及所述鈍化層的所述開口中并連接到所述導電圖案。...
  • 提供了形成垂直場效應晶體管(VFET)器件的方法。所述方法可以包括:形成從襯底的上表面沿豎直方向突出的溝道區;在所述溝道區的側面上形成柵極絕緣體層;在形成所述柵極絕緣體層之后,在所述溝道區上形成頂部源極/漏極;以及在所述柵極絕緣體層上形...
  • 提供了一種制造半導體裝置的方法。所述方法可以包括在基底的核心?外圍區域上形成柵極結構。基底還可以包括單元區域。所述方法還可以包括在柵極結構的側壁上形成柵極間隔件;通過執行第一離子注入工藝在基底的核心?外圍區域中形成與柵極間隔件相鄰的第一...
  • 一種低溫蝕刻方法包括:冷卻其上設置有晶片的基座;通過從通過氣體分配單元供應的氣體產生等離子體來蝕刻晶片;以及通過所述氣體分配單元將加熱的惰性氣體注入到腔室中。
  • 本公開提供了一種頁面緩沖器及包括該頁面緩沖器的存儲器件。所述存儲器件包括:存儲單元陣列,所述存儲單元陣列具有多個存儲單元串和連接到所述多個存儲單元串的多條位線;以及多個頁面緩沖器,所述多個頁面緩沖器連接到所述多條位線,其中,所述多個頁面...
  • 一種存儲設備,包括:存儲單元陣列,多個位線,補償電路,保持電路和控制邏輯電路。存儲單元陣列包括多個存儲單元。每個位線連接到至少一個存儲單元。在位線中,預定電壓被施加到連接到選擇存儲單元的選擇位線。補償電路包括采樣電路,該采樣電路通過感測...
  • 本發明涉及用于再現多聲道音頻信號的方法,多聲道音頻信號包括在水平表面布局環境中的高度聲音信號,通過根據渲染類型獲得渲染參數并且配置下混合矩陣,對于不適于應用虛擬渲染的音頻信號仍可獲得有效的渲染性能。根據本發明的實施方式的渲染音頻信號的方...
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